阜新1N金靶材厂-“本信息长期有效”

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及-的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能-。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。但是布线金属本身易氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入si与sio2等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与si的化合物,充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

稀土金属制取(preparation of rare earth metal),将稀土化合物还原成金属的过程。还原所制得的稀土金属产品含稀土95%～99%，主要用作钢铁、有色金属及其合金的添加剂，以及用作生产稀土永磁材料、贮氢材料等功能材料的原料。瑞典人穆桑德尔(c．g．mosander)自1826年先制得金属以来，现已能生产全部稀土金属，产品纯度达到99.9%。为使两种层的厚度高度准确，需要较麻烦的管理，并且生产橡胶辊的成本较高。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属 。

钨-钛w-ti膜以及以钨-钛w-ti为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列-的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，w/ ti 合金具有低的电阻系数、-的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如al 、cu 和ag 等已经被广泛的应用和研究。由于w-ti系列薄膜具有非常优良的性能，近几年来应用量急剧增加，2008年w-ti靶材用量已达到400t，随着光伏产业的发展，这种靶材的需求量会越来越大。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入si 与sio2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。

金属靶材材质分为：

镍靶、ni、钛靶、ti、锌靶、zn、铬靶、cr、镁靶、mg、铌靶、nb、锡靶、sn、铝靶、al、铟靶、in、铁靶、fe、锆铝靶、zral、钛铝靶、tial、锆靶、zr、铝硅靶、alsi、硅靶、si、铜靶cu、钽靶t、a、锗靶、ge、银靶、ag、钴靶、co、金靶、au、钆靶、gd、-靶、la、钇靶、y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、nicr、铪靶、hf、钼靶、mo、铁镍靶、feni、钨靶、w等。熔盐电解法为连续性生产过程，产量较大，设备简单，成本较低，但电解槽需用耐高温氯化物或-物腐蚀的结构材料制造。